什么是动态电路?
- 电阻电路: 元件上的支路量随着激励的改变而瞬时(理想情况下)改变
- 动态电路:
- 电容/电感为储能元件,
- 能量的变化不可能瞬时的(电场/磁场的建立/消散都需要时间),
- 表征其储能的电容电压和电感电流必须随时间变化。
- 所谓动态就是储能元件上的能量随时间改变的过程。
过度过程(暂态过程)是什么
- 从
一个稳态
经过换路
到另一个稳态
的过渡过程
稳态1==换路==>稳态2
=======暂态=======
产生过度过程的两个根本条件
- 电路包含储能元件
- 电路发生改变:
- 拓扑结构发生改变(如开关换路)
- 元件参数发生改变(如电压源的幅值、频率)
列写方程的两个基本要素:元件约束 + 拓扑约束
阶数
如果一个电路所对应的方程是一阶(/二阶)微分方程,那么这个电路就叫做一阶(/二阶)电路
一阶电路一阶方程
KVL拓扑约束 + RC元件约束:
KVLRC:Us=ur+uc:Ur=Ri:i=Cdtduc
元件约束代入KVL:
UsUs=ur+uc=RCdtduc+uc
化微分项系数为1:
dtduc+RC1uc=RC1Us
二阶电路二阶方程
KVL拓扑约束+RLC元件约束:
KVLCLR:uC+uL+uR=0:i=CdtduC:u=Ldtdi:Ur=Ri
元件约束代入KVL:
uC+uL+uR=0uC+L∗dtd(i=CdtduC)+R∗(i=CdtduC)=0uC+LCdtd2(uC)+RCdtduC=0
化微分项系数为1:
dtd2(uC)+LRdtduC+LC1uC=0
- 常微分方程:方程中的未知量是一个函数,并且这个函数只有一个自变量 f(x)
- 一阶: 最高次数为一次导
- 线性:函数和函数的导数是线性关系 dtdf(t)=−2f(t)
- 齐次方程:方程等号右边为0
- 非齐次方程:方程等号右边为关于自变量的表达式
dtdf(t)+2f(t)=0
思考
- 什么函数可以满足:dtdf(t)=−2f(t)
- 答:
- 只有自然指数函数的导数还是自然指数函数
- f(t)=Aeλt
- f′(t)=Aλeλt=λf(t)
- 代入原方程:f′(t)−2f(t)=0
- λf(t)−2f(t)=0
- λ−2=0 (特征方程)
- λ=−2 (特征根)
- 所以: f(t)=Ae−2t (微分方程通解)
- 如果:
- 有系统初始条件f(0)=1 则可计算得:A=1
- 那么: f(t)=e−2t (微分方程特解)
dtdf(t)+2f(t)=t2
- 可以把原方程看成是:dtdf(t)+2f(t)=0+t2
- 非齐次方程通解 = 齐次方程通解 + 非齐次方程特解
- 齐次方程通解: fa(t)=Ae−2t 可使得方程右边为0
- 非齐次方程特解:
- 因为二次多项式函数的导数是二次多项式
- 所以,设其为fb(t)=Bt2+Ct+D
- 则导数为fb′(t)=2Bt+C+0
- 代入原方程dtdf(t)+2f(t)=t2得:
- 2Bt+C+2∗(Bt2+Ct+D)=t2
- 2Bt+C+2Bt2+2Ct+2D=t2
- (2B)t2+(2C+2B)t+(2D+C)=t2
- 2B=1
- B=0.5
- 2C+2B=0
- C=−0.5
- 2D+C=0
- D=0.25
- fb(t)=0.5t2−0.5t+0.25
- 特解使得方程右边为t2
- 非齐次方程通解 = 齐次方程通解 + 非齐次方程特解
- f(t)=fa(t)+fb(t)
- =Ae−2t+0.5t2−0.5t+0.25
- 如果:
- 有系统初始条件f(0)=1 则可计算得:A=0.75
[2 第47讲 动态电路(Dynamic Circuits)(3)]
动态电路的暂态过程如何求解?
- 根据拓扑约束(KVL、KCL)和元件约束(RLC)列写微分方程
- 确定初值(t=0)
- 求特解